Влияние критических флуктуаций при структурном фазовом переходе на сверхпроводящее спаривание

В рамках ангармонической модели высокотемпературной сверхпроводимости исследуется влияние критических флуктуаций в окрестности структурного фазового перехода (СФП) на изотопический эффект (ИЭ). Показывается, что при совпадении температур структурного и сверхпроводящего переходов ИЭ определяется критическим индексом $\gamma$. В случае, когда $\gamma<1$, фактор ИЭ для температуры сверхпроводящего перехода $T_c$ ($\alpha=-\frac{\partial \ln T_c}{\partial \ln M}$) совпадает с фактором ИЭ для температуры структурного перехода $T_0$ (т.е. $\alpha=\varepsilon$, где $\varepsilon=-\frac{\partial \ln T_0}{\partial \ln M}$), а в случае $\gamma>1$ фактор $\alpha=\frac{1}{2}$ (при пренебрежении кулоновским отталкиванием). Этот результат носит общий характер и не зависит от выбора модели СФП. Результат демонстрируется на примере точно решаемой модели СФП с $\gamma=2$.