Труды Математического института имени В. А. Стеклова
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Лицензионный договор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Труды МИАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Труды Математического института имени В. А. Стеклова, 2023, том 322, страницы 94–110
DOI: https://doi.org/10.4213/tm4340 (Mi tm4340) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Напряженное состояние упругого полупространства в условиях дискретного контакта

И. Г. Горячева, А. А. Яковенко

Институт проблем механики им. А.Ю. Ишлинского Российской академии наук, Москва, Россия
PDF полного текста (1063 kB) Список цитирования (2)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.4213/tm4340
Аннотация: Исследовано контактное взаимодействие с упругим полупространством периодической системы осесимметричных штампов с двумя высотными уровнями при отсутствии сил трения. Решение задачи строится с помощью метода локализации. Получены аналитические выражения, определяющие контактные характеристики взаимодействия (радиус пятен контакта и распределение контактных давлений), а также компоненты тензора внутренних напряжений на осях симметрии штампов обоих уровней. Проанализировано влияние формы контактирующей поверхности штампов, которая описывается степенной функцией (с произвольным целым показателем), и пространственного расположения штампов на контактные характеристики и напряженное состояние упругого полупространства.
Ключевые слова: периодический контакт, упругое полупространство, двухуровневая система штампов, внутренние напряжения, форма штампа.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 22-49-02010
Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда №22-49-02010, https://rscf.ru/project/22-49-02010/.
Поступило в редакцию: 25 декабря 2022 г.
После доработки: 15 января 2023 г.
Принята к печати: 17 апреля 2023 г.
Англоязычная версия:
Proceedings of the Steklov Institute of Mathematics, 2023, Volume 322, Pages 88–104
DOI: https://doi.org/10.1134/S0081543823040089
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 539.3
Образец цитирования: И. Г. Горячева, А. А. Яковенко, “Напряженное состояние упругого полупространства в условиях дискретного контакта”, Современные методы механики, Сборник статей. К 90-летию академика Андрея Геннадьевича Куликовского, Труды МИАН, 322, МИАН, М., 2023, 94–110; Proc. Steklov Inst. Math., 322 (2023), 88–104
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GorYak23}
\by И.~Г.~Горячева, А.~А.~Яковенко
\paper Напряженное состояние упругого полупространства в условиях дискретного контакта
\inbook Современные методы механики
\bookinfo Сборник статей. К~90-летию академика Андрея Геннадьевича Куликовского
\serial Труды МИАН
\yr 2023
\vol 322
\pages 94--110
\publ МИАН
\publaddr М.
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/tm4340}
\crossref{https://doi.org/10.4213/tm4340}
\transl
\jour Proc. Steklov Inst. Math.
\yr 2023
\vol 322
\pages 88--104
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0081543823040089}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85180197224}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/tm4340
  • https://doi.org/10.4213/tm4340
  • https://www.mathnet.ru/rus/tm/v322/p94
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Труды Математического института имени В. А. Стеклова Proceedings of the Steklov Institute of Mathematics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:166
    PDF полного текста:6
    Список литературы:25
    Первая страница:7
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024