Устойчивость самосинхронных комбинационных схем к кратковременным логическим сбоям

Рассматривается вопрос устойчивости самосинхронных (СС) комбинационных схем, изготовленных по технологии комплементарный металл – диэлектрик – полупроводник (КМДП), к кратковременным логическим сбоям (ЛС), вызываемым внешними причинами или внутренними помехами, не приводящими к разрушению полупроводниковых структур. Обсуждаются последствия воздействия физических причин, приводящих к ЛС в микросхеме, изготовленной по КМДП-технологии с проектными нормами 65 нм и ниже. Введена классификация ЛС в СС комбинационных КМДП-схемах в зависимости от времени их появления и типа сбоя. Самосинхронные схемы имеют более высокую степень устойчивости к кратковременным ЛС, чем их синхронные аналоги, благодаря двухфазной дисциплине работы, запрос-ответному взаимодействию и парафазному кодированию информационных сигналов. Предложены схемотехнические и топологические методы, обеспечивающие снижение чувствительности СС комбинационных КМДП-схем к логическим сбоям за счет гарантированного отсутствия биполярного влияния источника ЛС на элементы, формирующие парафазные сигналы, и на их трассы в топологии схемы.