|
Сибирский журнал индустриальной математики, 1999, том 2, номер 2, страницы 15–23
(Mi sjim62)
|
|
|
|
Асимптотическая устойчивость состояния равновесия для упрощенной газодинамической модели переноса заряда в полупроводниках
А. М. Блохин, А. С. Бушманова
Аннотация:
Исследуется упрощенная газодинамическая модель переноса заряда в полупроводниках. Рассматривается смешанная задача, соответствующая известной в физике
полупроводников задаче о баллистическом диоде. Доказана асимптотическая устойчивость (по Ляпунову) состояния равновесия при определенных ограничениях на
начальные данные задачи и функцию плотности легирования.
Статья поступила: 12.03.1999
Образец цитирования:
А. М. Блохин, А. С. Бушманова, “Асимптотическая устойчивость состояния равновесия для упрощенной газодинамической модели переноса заряда в полупроводниках”, Сиб. журн. индустр. матем., 2:2 (1999), 15–23
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/sjim62 https://www.mathnet.ru/rus/sjim/v2/i2/p15
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 217 | PDF полного текста: | 67 |
|