|
Сибирский журнал индустриальной математики, 2003, том 6, номер 2, страницы 31–36
(Mi sjim445)
|
|
|
|
Математическое моделирование гетерогенного переноса заряда в твердотельных наноструктурах под действием резонансного излучения
В. П. Голубятниковa, Б. П. Кашниковb, Г. И. Смирнов a Институт математики им. С. Л. Соболева СО РАН
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
Аннотация:
Построена математическая модель безактивационной перезарядки между атомами в поликристаллических пленках или неоднородных наноструктурах типа полупроводник–диэлектрик, взаимодействующими с резонансным излучением и металлической поверхностью контакта. Определена вероятность процесса резонансной приконтактной фотоионизации в неоднородных твердотельных наноструктурах, что позволяет использовать данный процесс в нанотехнологиях для измерений и передачи информации.
Статья поступила: 28.03.2003
Образец цитирования:
В. П. Голубятников, Б. П. Кашников, Г. И. Смирнов, “Математическое моделирование гетерогенного переноса заряда в твердотельных наноструктурах под действием резонансного излучения”, Сиб. журн. индустр. матем., 6:2 (2003), 31–36
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/sjim445 https://www.mathnet.ru/rus/sjim/v6/i2/p31
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 365 | PDF полного текста: | 109 | Список литературы: | 57 |
|