Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Сибирский журнал индустриальной математики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Сиб. журн. индустр. матем.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Сибирский журнал индустриальной математики, 2024, том 27, номер 3, страницы 74–94
DOI: https://doi.org/10.33048/SIBJIM.2024.27.306 (Mi sjim1291) 		 
Численное исследование модели фазового поля для описания развития канала электрического пробоя в неоднородной среде

Е. В. Зипунова, А. А. Кулешов, Е. Б. Савенков

Институт прикладной математики им. М. В. Келдыша РАН, Миусская пл., 4, г. Москва 125047, Россия
PDF полного текста (2371 kB) Первая страница
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.33048/SIBJIM.2024.27.306
Аннотация: В настоящей работе представлены результаты численного исследования математической модели типа фазового поля для развития канала электрического пробоя. Модель включает в себя группу уравнений Максвелла в квази(электро)стационарном приближении, уравнение баланса электрического заряда и уравнение Аллена—Кана для описания эволюции фазового поля. Приводится краткое описание математической модели и вычислительных алгоритмов для решения её уравнений. Рассматривается ряд постановок задач о распространении канала электрического пробоя в однородной, макроскопически и микроскопически неоднородных средах. Исследуются факторы, влияющие на характер развития канала пробоя в зависимости от постановки задачи и распределения свойств среды.
Ключевые слова: модель фазового поля, модель диффузной границы, параметр порядка, уравнение Аллена—Кана, электрический пробой, неоднородная среда.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 22-11-00203
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 075-15-2022-283
Работа Е. В. Зипуновой и Е. Б. Савенкова (разделы 1, 2 и 4) выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (проект № 22-11-00203). Работа А.А. Кулешова (разделы 3 и 5) выполнена при финансовой поддержке Московского центра фундаментальной и прикладной математики, соглашение с Министерством науки и высшего образования РФ №075-15-2022-283.
Статья поступила: 28.11.2023
Окончательный вариант: 03.02.2024
Англоязычная версия:
Journal of Applied and Industrial Mathematics, 2024, Volume 18, Issue 3, Pages 612–630
DOI: https://doi.org/10.1134/S1990478924030207
Тип публикации: Статья
УДК: 51-72:517.9:538.91
Образец цитирования: Е. В. Зипунова, А. А. Кулешов, Е. Б. Савенков, “Численное исследование модели фазового поля для описания развития канала электрического пробоя в неоднородной среде”, Сиб. журн. индустр. матем., 27:3 (2024), 74–94; J. Appl. Industr. Math., 18:3 (2024), 612–630
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZipKulSav24}
\by Е.~В.~Зипунова, А.~А.~Кулешов, Е.~Б.~Савенков
\paper Численное исследование модели фазового поля для описания развития канала электрического пробоя в неоднородной среде
\jour Сиб. журн. индустр. матем.
\yr 2024
\vol 27
\issue 3
\pages 74--94
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/sjim1291}
\crossref{https://doi.org/10.33048/SIBJIM.2024.27.306}
\transl
\jour J. Appl. Industr. Math.
\yr 2024
\vol 18
\issue 3
\pages 612--630
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1990478924030207}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/sjim1291
  • https://www.mathnet.ru/rus/sjim/v27/i3/p74
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Сибирский журнал индустриальной математики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:29
    PDF полного текста:2
    Список литературы:7
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025