Современные подходы к исследованию тонких пленок и монослоев: рентгеновская рефлектометрия, рассеяние в скользящих углах отражения и метод стоячих рентгеновских волн

Рассмотрены современные экспериментальные подходы к исследованию строения тонких пленок различной природы, основанные на эффекте полного отражения рентгеновского излучения от поверхности – рентгеновская рефлектометрия, рассеяние в скользящих углах отражения, а также метод стоячих рентгеновских волн. Их возможности продемонстрированы на примере исследования различных органических макромолекулярных систем, обладающих полупроводниковыми свойствами и перспективных в качестве тонкослойных транзисторов, светоизлучающих диодов, фотовольтаических ячеек. Показано, что, используя комбинацию указанных методов, можно с высокой степенью точности исследовать строение тонкопленочных материалов и процессов структурообразования в них, т.е. получать информацию, необходимую для повышения эффективности работы элементов органической электроники.
Библиография — 92 ссылки.