|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Перенос заряда и свойства интерфейсов в неорганических супраструктурах и композитах
И. С. Флягинаa, А. А. Петровb, В. С. Первовb a Институт физической химии и электрохимии им. А. Н. Фрумкина РАН, г. Москва
b Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, г. Москва
Аннотация:
Процессы, связанные с переносом заряда и реконструкцией электронных состояний в межфазных областях (интерфейсах) в неорганических супраструктурах и композитах, изучены пока неполно. В обзоре проанализированы и обобщены результаты теоретических и экспериментальных исследований структурных и электронных эффектов в интерфейсах супраструктур и композитов, состоящих из оксидов или халькогенидов металлов. Показано, что перенос заряда и, как следствие, изменение свойств интерфейсов по сравнению со свойствами субструктур определяется способами получения композитов и химической природой структур, несоразмерностью их структурных параметров, валентными состояниями входящих в них металлов. Эти изменения максимальны у наногетероструктур, и их глубина связана с электронной проводимостью субструктур. Макроскопические свойства композитных материалов зависят от количества интерфейсов в их объеме.
Библиография — 66 ссылок.
Поступила в редакцию: 09.06.2015
Образец цитирования:
И. С. Флягина, А. А. Петров, В. С. Первов, “Перенос заряда и свойства интерфейсов в неорганических супраструктурах и композитах”, Усп. хим., 85:6 (2016), 610–618; Russian Chem. Reviews, 85:6 (2016), 610–618
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/rcr4112 https://www.mathnet.ru/rus/rcr/v85/i6/p610
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 115 |
|