Аннотация:
Процессы, связанные с переносом заряда и реконструкцией электронных состояний в межфазных областях (интерфейсах) в неорганических супраструктурах и композитах, изучены пока неполно. В обзоре проанализированы и обобщены результаты теоретических и экспериментальных исследований структурных и электронных эффектов в интерфейсах супраструктур и композитов, состоящих из оксидов или халькогенидов металлов. Показано, что перенос заряда и, как следствие, изменение свойств интерфейсов по сравнению со свойствами субструктур определяется способами получения композитов и химической природой структур, несоразмерностью их структурных параметров, валентными состояниями входящих в них металлов. Эти изменения максимальны у наногетероструктур, и их глубина связана с электронной проводимостью субструктур. Макроскопические свойства композитных материалов зависят от количества интерфейсов в их объеме.
Библиография — 66 ссылок.
Образец цитирования:
И. С. Флягина, А. А. Петров, В. С. Первов, “Перенос заряда и свойства интерфейсов в неорганических супраструктурах и композитах”, Усп. хим., 85:6 (2016), 610–618; Russian Chem. Reviews, 85:6 (2016), 610–618