Успехи химии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Усп. хим.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Успехи химии, 2005, том 74, выпуск 5, страницы 452–483
DOI: https://doi.org/10.1070/RC2005v074n05ABEH000886
(Mi rcr403)
 

Эта публикация цитируется в 19 научных статьях (всего в 19 статьях)

Осаждение диэлектрических слоев из газовой фазы

В. Ю. Васильев, С. М. Репинский

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация: Обобщены сведения о методах химического осаждения из газовой фазы тонких слоев диэлектриков на основе нитрида, оксинитрида и диоксида кремния, а также фосфор- и борсодержащих силикатных стекол. Описаны аппаратура и методология осаждения слоев. Особое внимание уделено анализу и обсуждению кинетики осаждения и кинетическим моделям роста слоев. Охарактеризованы процессы роста слоев и приведены данные об основных физико-химических свойствах тонкослойных ковалентных диэлектрических материалов.
Библиография — 139 ссылок.
Поступила в редакцию: 28.11.2003
Англоязычная версия:
Russian Chemical Reviews, 2005, Volume 74, Issue 5, Pages 413–441
DOI: https://doi.org/10.1070/RC2005v074n05ABEH000886
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: В. Ю. Васильев, С. М. Репинский, “Осаждение диэлектрических слоев из газовой фазы”, Усп. хим., 74:5 (2005), 452–483; Russian Chem. Reviews, 74:5 (2005), 413–441
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/rcr403
  • https://www.mathnet.ru/rus/rcr/v74/i5/p452
  • Эта публикация цитируется в следующих 19 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Успехи химии Russian Chemical Reviews
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024