|
Эта публикация цитируется в 19 научных статьях (всего в 19 статьях)
Осаждение диэлектрических слоев из газовой фазы
В. Ю. Васильев, С. М. Репинский Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Обобщены сведения о методах химического осаждения из газовой фазы тонких слоев диэлектриков на основе нитрида, оксинитрида и диоксида кремния, а также фосфор- и борсодержащих силикатных стекол. Описаны аппаратура и методология осаждения слоев. Особое внимание уделено анализу и обсуждению кинетики осаждения и кинетическим моделям роста слоев. Охарактеризованы процессы роста слоев и приведены данные об основных физико-химических свойствах тонкослойных ковалентных диэлектрических материалов. Библиография — 139 ссылок.
Поступила в редакцию: 28.11.2003
Образец цитирования:
В. Ю. Васильев, С. М. Репинский, “Осаждение диэлектрических слоев из газовой фазы”, Усп. хим., 74:5 (2005), 452–483; Russian Chem. Reviews, 74:5 (2005), 413–441
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/rcr403 https://www.mathnet.ru/rus/rcr/v74/i5/p452
|
|