Электронное строение и химическая связь в нестехиометрических тугоплавких соединениях на основе переходных металлов IVa, Va подгрупп

Проведена систематизация результатов изучения электронной структуры и химической связи в нестехиометрических бинарных соединениях на основе переходных металлов IVa, Va подгрупп. Рассмотрены основные феноменологические модели, а также данные расчетов на основе зонных и кластерных моделей распределений электронной плотности; обсуждены изменения химической связи, вызванные наличием точечных вакансий в металлоидной и металлической подрешетках. Данные расчетов сопоставлены с результатами исследований нестехиометрических соединений методами рентгеновской эмиссионной и фотоэлектронной спектроскопии и с рядом физико-химических свойств. Обсуждены применимость и корректность подходов в рамках зонной и кластерной моделей к изучению электронных процессов в кристалле, обусловленных образованием точечных вакансий.
Библиография – 159 ссылок.