Успехи химии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Усп. хим.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Успехи химии, 1975, том 44, выпуск 11, страницы 1956–1978
DOI: https://doi.org/10.1070/RC1975v044n11ABEH002397
(Mi rcr2840)
 

Эта публикация цитируется в 40 научных статьях (всего в 40 статьях)

Метод эстанса

А. Я. Гохштейн

Институт электрохимии им. А. Н. Фрумкина АН СССР, г. Москва
Аннотация: Рассмотрен метод исследования поверхностных явлений, основанный на измерении эстанса – производной поверхностного натяжения проводящего твердого тела по электрической переменной. В основе метода лежат два взаимно обратных эффекта – изменение поверхностного натяжения твердого тела при изменении его потенциала относительно текучей среды и изменение потенциала при упругой деформации твердого тела. Изложены техника эксперимента, некоторые вопросы теории метода, примеры его использования.
Библиография – 35 ссылок.
Англоязычная версия:
Russian Chemical Reviews, 1975, Volume 44, Issue 11, Pages 921–932
DOI: https://doi.org/10.1070/RC1975v044n11ABEH002397
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 532.612.3


Образец цитирования: А. Я. Гохштейн, “Метод эстанса”, Усп. хим., 44:11 (1975), 1956–1978; Russian Chem. Reviews, 44:11 (1975), 921–932
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/rcr2840
  • https://www.mathnet.ru/rus/rcr/v44/i11/p1956
  • Эта публикация цитируется в следующих 40 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Успехи химии Russian Chemical Reviews
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:128
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024