Принципы электронного строения комплексов непереходных элементов

Представлен обзор результатов квантово-химических расчетов электронного строения комплексов непереходных элементов. Проведен анализ рентгеновских эмиссионных и рентгенофотоэлектронных спектров соединений этого класса. Сформулированы общие принципы их электронного строения. Показано, что эффективное участие частично или полностью занятых валентных np^m-орбиталей центрального атома А комплексов типа AL_k в образовании делокализованных молекулярных орбиталей, пренебрежимо малый вклад вакантных Аnd-орбиталей в связи с лигандами, валентная неактивность или незначительный вклад занятых Ans²-орбиталей (за исключением орбиталей 2s²) в валентные молекулярные орбитали, возникновение в электронной структуре комплекса кратных связей, обусловленных участием в ковалентных или гипервалентных π-взаимодействиях только 2p-АО (но не np-АО при n≥3), являются наиболее существенными факторами, влияющими на электронное строение соединений непереходных элементов. Дана критика концепции d-орбиталей и концепции гипервалентных связей. Библиография - 130 ссылок.