Химия границы раздела сложный полупроводник–собственный диэлектрик

С помощью классической термодинамики для полупроводников групп А^IIIВ^V, А^IIВ^VI, А^IVВ^VI и их твердых растворов проанализированы процессы, приводящие к росту на поверхности этих материалов собственных диэлектриков (оксидов, сульфидов и фторидов). Их фазовый состав, найденный по диаграмме фазовых равновесий, сопоставлен с полученным в результате экспериментальных исследований границы раздела полупроводник–диэлектрик. Показано, что существует связь между особенностями диаграммы фазовых равновесий (в частности, выделением на границе раздела металла или неметалла), типом собственных дефектов решетки и электрофизическими свойствами границы раздела. Рассмотрены возможные пути создания совершенной границы раздела сложный полупроводник–диэлектрик. Библиография – 171 ссылка.