|
Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 3, страницы 621–624
(Mi qe9992)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Об исследовании ВКР в световоде методом регистрации встречных накачке стоксовых компонент
В. С. Бутылкин, В. В. Григорьянц, М. Е. Жаботинский, А. С. Петросян, В. И. Смирнов Институт радиотехники и электроники АН СССР, Москва
Аннотация:
Обсуждается метод исследования динамики ВКР в световодах, основанный на регистрации излучения стоксовых компонент, распространяющихся навстречу импульсам накачки. Показано, что встречное излучение возникает в результате релеевского рассеяния стоксовой компоненты ВКР, попутной накачке, если длительность импульса накачки много меньше времени его прохождения через световод, а энергия импульса недостаточна для того, чтобы за время, равное его длительности, происходило заметное преобразование накачки во встречные стоксовы компоненты ВКР и BPМБ. При этих условиях нелинейные искажения регистрируемого сигнала незначительны. В качестве примера использования метода определены локальные коэффициенты усиления стоксовой компоненты ВКР, возбуждаемого излучением накачки на длине волны 0,53 мкм в кварцевом волоконном световоде длиной 650 м, и декремент затухания этой компоненты на его конечном участке.
Поступила в редакцию: 25.06.1979
Образец цитирования:
В. С. Бутылкин, В. В. Григорьянц, М. Е. Жаботинский, А. С. Петросян, В. И. Смирнов, “Об исследовании ВКР в световоде методом регистрации встречных накачке стоксовых компонент”, Квантовая электроника, 7:3 (1980), 621–624 [Sov J Quantum Electron, 10:3 (1980), 351–353]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe9992 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v7/i3/p621
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 163 | PDF полного текста: | 77 |
|