Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 3, страницы 621–624 (Mi qe9992)  

Краткие сообщения

Об исследовании ВКР в световоде методом регистрации встречных накачке стоксовых компонент

В. С. Бутылкин, В. В. Григорьянц, М. Е. Жаботинский, А. С. Петросян, В. И. Смирнов

Институт радиотехники и электроники АН СССР, Москва
Аннотация: Обсуждается метод исследования динамики ВКР в световодах, основанный на регистрации излучения стоксовых компонент, распространяющихся навстречу импульсам накачки. Показано, что встречное излучение возникает в результате релеевского рассеяния стоксовой компоненты ВКР, попутной накачке, если длительность импульса накачки много меньше времени его прохождения через световод, а энергия импульса недостаточна для того, чтобы за время, равное его длительности, происходило заметное преобразование накачки во встречные стоксовы компоненты ВКР и BPМБ. При этих условиях нелинейные искажения регистрируемого сигнала незначительны. В качестве примера использования метода определены локальные коэффициенты усиления стоксовой компоненты ВКР, возбуждаемого излучением накачки на длине волны 0,53 мкм в кварцевом волоконном световоде длиной 650 м, и декремент затухания этой компоненты на его конечном участке.
Поступила в редакцию: 25.06.1979
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, Volume 10, Issue 3, Pages 351–353
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1980v010n03ABEH009992
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 535.375:681.7.068.4
PACS: 42.65.Cq, 42.80.Mv
Образец цитирования: В. С. Бутылкин, В. В. Григорьянц, М. Е. Жаботинский, А. С. Петросян, В. И. Смирнов, “Об исследовании ВКР в световоде методом регистрации встречных накачке стоксовых компонент”, Квантовая электроника, 7:3 (1980), 621–624 [Sov J Quantum Electron, 10:3 (1980), 351–353]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ButGriZha80}
\by В.~С.~Бутылкин, В.~В.~Григорьянц, М.~Е.~Жаботинский, А.~С.~Петросян, В.~И.~Смирнов
\paper Об исследовании ВКР в световоде методом регистрации встречных накачке стоксовых компонент
\jour Квантовая электроника
\yr 1980
\vol 7
\issue 3
\pages 621--624
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe9992}
\transl
\jour Sov J Quantum Electron
\yr 1980
\vol 10
\issue 3
\pages 351--353
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE1980v010n03ABEH009992}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=A1980JP22400024}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe9992
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v7/i3/p621
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:163
    PDF полного текста:77
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024