|
Квантовая электроника, 1997, том 24, номер 7, страницы 596–600
(Mi qe991)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)
Лазеры
Роль отрицательных ионов в плазме импульсных лазеров на парах металлов и их соединений
К. И. Земсков, А. А. Исаев, Г. Г. Петраш Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
Аннотация:
Проанализированы имеющиеся данные по характеристикам разряда и генерации, а также по кинетике заселения уровней импульсных лазеров на парах металлов и их галогенидов с добавками водорода и HВr. Рассмотрено влияние диссоциативного прилипания, в частности к молекуле HВr, на кинетику образования инверсии в этих лазерах. Показано, что учет данного процесса позволяет объяснить все наблюдавшиеся особенности рассматриваемых лазеров, включая увеличение эффективности и мощности CuBr-лазера c добавкой водорода и гибридного лазера. Добавка молекул с большим сечением диссоциативного прилипания и с соответствующим расположением максимума сечения открывает новые возможности улучшения характеристик импульсных лазеров на r – m-переходах.
Поступила в редакцию: 18.12.1996
Образец цитирования:
К. И. Земсков, А. А. Исаев, Г. Г. Петраш, “Роль отрицательных ионов в плазме импульсных лазеров на парах металлов и их соединений”, Квантовая электроника, 24:7 (1997), 596–600 [Quantum Electron., 27:7 (1997), 579–583]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe991 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v24/i7/p596
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 158 | PDF полного текста: | 109 |
|