Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 2, страницы 244–248 (Mi qe9908)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Особенности развития лазерной плазмы вблизи твердой мишени в газах при повышенном давлении

А. А. Углов, А. Л. Галиев

Институт металлургии им. А. А. Байкова АН СССР, Москва
PDF полного текста (983 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Исследованы особенности развития лазерной плазмы вблизи поверхности твердой мишени при действии излучения неодимового лазера, плотность потока излучения $q$ которого изменяется в пределах 1–10 МВт/см${}^2$. Развиты качественные представления о механизме зажигания лазерной плазмы вблизи твердой мишени в широком диапазоне давлений $p$ (1–120 атм) окружающего мишень газа (азот, гелий). В зависимости от значений $q$ и $p$ имеют место три механизма зажигания плазмы.
Поступила в редакцию: 10.04.1979
Исправленный вариант: 06.07.1979
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, Volume 10, Issue 2, Pages 143–146
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1980v010n02ABEH009908
Реферативные базы данных:
УДК: 533.9:621.373.826
PACS: 52.50.Jm
Образец цитирования: А. А. Углов, А. Л. Галиев, “Особенности развития лазерной плазмы вблизи твердой мишени в газах при повышенном давлении”, Квантовая электроника, 7:2 (1980), 244–248 [Sov J Quantum Electron, 10:2 (1980), 143–146]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{UglGal80}
\by А.~А.~Углов, А.~Л.~Галиев
\paper Особенности развития лазерной плазмы вблизи твердой мишени в газах при повышенном давлении
\jour Квантовая электроника
\yr 1980
\vol 7
\issue 2
\pages 244--248
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe9908}
\transl
\jour Sov J Quantum Electron
\yr 1980
\vol 10
\issue 2
\pages 143--146
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE1980v010n02ABEH009908}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=A1980JL30500003}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe9908
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v7/i2/p244
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:115
    PDF полного текста:72
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024