Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 2, страницы 249–265 (Mi qe9904)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Метод последовательных приближений в теории ВКР случайно-модулированной накачки

Г. М. Крочик

Научно-исследовательский институт органических полупродуктов и красителей, Москва
Аннотация: ВКР случайно-модулированной накачки исследуется методом последовательных приближений, основанным на разложении решений по малым параметрам, являющихся отношениями масштабов корреляции случайных воздействий к другим характерным динамическим масштабам задачи. Получены системы замкнутых уравнений для моментов амплитуд стоксовой и накачивающих волн и молекулярных колебаний, описывающих динамику процесса с учетом изменения интенсивности и статистики накачки из-за трехволнового взаимодействия. Анализ уравнений более высоких приближений позволил установить условия применимости первого (марковского) и второго приближений. В частности, показано, что они справедливы при интенсивностях накачки $J_L$ как меньших, так и больших критической $J_{kp}$ , вблизи которой начинается быстрый рост усиления и воспроизведение спектра накачки стоксовой волной. Получены решения для средних интенсивностей стоксовой волны и молекулярных колебаний в первом приближении в заданном поле накачки. Установлено, что при $J_L\gtrsim J_{kp}$ происходит быстрое нестационарное усиление стоксовой волны, связанное с нарастанием амплитуды молекулярных колебаний. Результаты расчетов хорошо совпадают с известными экспериментальными данными.
Поступила в редакцию: 10.04.1979
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, Volume 10, Issue 2, Pages 146–153
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1980v010n02ABEH009904
Реферативные базы данных:
УДК: 535.375.5
PACS: 42.65.Cq
Образец цитирования: Г. М. Крочик, “Метод последовательных приближений в теории ВКР случайно-модулированной накачки”, Квантовая электроника, 7:2 (1980), 249–265 [Sov J Quantum Electron, 10:2 (1980), 146–153]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Kro80}
\by Г.~М.~Крочик
\paper Метод последовательных приближений в теории ВКР случайно-модулированной накачки
\jour Квантовая электроника
\yr 1980
\vol 7
\issue 2
\pages 249--265
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe9904}
\transl
\jour Sov J Quantum Electron
\yr 1980
\vol 10
\issue 2
\pages 146--153
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE1980v010n02ABEH009904}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=A1980JL30500004}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe9904
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v7/i2/p249
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024