Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1987, том 14, номер 9, страницы 1863–1865 (Mi qe9893)  

Активные среды, методы накачки и управления параметрами излучения

Зависимость релаксации просветленного состояния красителя 3274у от интенсивности возбуждающего излучения

В. В. Гудялис, С. П. Дагис, Ю.-Ю. Ю. Славенас

Вильнюсский государственный университет им. В. Капсукаса
Аннотация: Методом пикосекундной спектроскопии исследован процесс восстановления поглощения дихлорэтанового раствора красителя 3274у после резонансного возбуждения УКИ. Установлено, что время релаксации просветленного состояния исследованного раствора τр зависит от плотности мощности возбуждающего УКИ: при 0,43 ГВт/см2 τр = 14 ± 2 пс, а при 1,8 ГВт/см2 τр = 43 ± 2 пс.
Поступила в редакцию: 27.01.1987
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1987, Volume 17, Issue 9, Pages 1187–1189
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1987v017n09ABEH009893
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826
PACS: 42.65.Re, 42.50.Gy, 42.70.Jk, 42.60.-v, 42.62.Fi


Образец цитирования: В. В. Гудялис, С. П. Дагис, Ю.-Ю. Ю. Славенас, “Зависимость релаксации просветленного состояния красителя 3274у от интенсивности возбуждающего излучения”, Квантовая электроника, 14:9 (1987), 1863–1865 [Sov J Quantum Electron, 17:9 (1987), 1187–1189]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe9893
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v14/i9/p1863
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024