Четырехуровневый логический элемент на оптической бистабильности в неохлаждаемом тонкопленочном полупроводниковом интерферометре

Экспериментально исследована оптическая бистабильность в слоистых монокристаллах ε-GaSe толщиной 0,9 мкм, находящихся в оптическом контакте с диэлектрическим зеркалом. При возбуждении излучением аргонового лазера (λ = 514,5 нм, диаметр фокального пятна 60 мкм, мощность возбуждения до 80 мВт) как в стационарном, так и в динамическом режиме наблюдается до трех последовательных петель оптического гистерезиса, что демонстрирует возможность работы тонкопленочного бистабильного элемента в качестве четырехуровневого логического устройства.