|
Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 1, страницы 212–214
(Mi qe9878)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Краткие сообщения
Использование периодических структур специального профиля в полупроводниковых лазерах с электронной накачкой
А. Н. Власов, В. С. Рудневский, А. И. Уваров
Аннотация:
Представлены результаты экспериментальных исследований полупроводниковых лазеров на периодических структурах. Использование образцов специального профиля, в которых площадь зеркал превышает площадь поперечного сечения резонатора, позволило значительно улучшить диаграмму направленности излучения.
Поступила в редакцию: 23.07.1979
Образец цитирования:
А. Н. Власов, В. С. Рудневский, А. И. Уваров, “Использование периодических структур специального профиля в полупроводниковых лазерах с электронной накачкой”, Квантовая электроника, 7:1 (1980), 212–214 [Sov J Quantum Electron, 10:1 (1980), 124–126]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe9878 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v7/i1/p212
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 124 | PDF полного текста: | 59 |
|