Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 1, страницы 212–214 (Mi qe9878)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Краткие сообщения

Использование периодических структур специального профиля в полупроводниковых лазерах с электронной накачкой

А. Н. Власов, В. С. Рудневский, А. И. Уваров
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований полупроводниковых лазеров на периодических структурах. Использование образцов специального профиля, в которых площадь зеркал превышает площадь поперечного сечения резонатора, позволило значительно улучшить диаграмму направленности излучения.
Поступила в редакцию: 23.07.1979
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, Volume 10, Issue 1, Pages 124–126
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1980v010n01ABEH009878
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.385.832.42
PACS: 42.55.Px
Образец цитирования: А. Н. Власов, В. С. Рудневский, А. И. Уваров, “Использование периодических структур специального профиля в полупроводниковых лазерах с электронной накачкой”, Квантовая электроника, 7:1 (1980), 212–214 [Sov J Quantum Electron, 10:1 (1980), 124–126]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VlaRudUva80}
\by А.~Н.~Власов, В.~С.~Рудневский, А.~И.~Уваров
\paper Использование периодических структур специального профиля в полупроводниковых лазерах с электронной накачкой
\jour Квантовая электроника
\yr 1980
\vol 7
\issue 1
\pages 212--214
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe9878}
\transl
\jour Sov J Quantum Electron
\yr 1980
\vol 10
\issue 1
\pages 124--126
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE1980v010n01ABEH009878}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=A1980JE08000035}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe9878
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v7/i1/p212
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:104
    PDF полного текста:52
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024