Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 1, страницы 179–181 (Mi qe9865)  
Краткие сообщения

Механизм усиления светорассеяния при оптической записи на пленках $As_2S_3$

А. А. Аникин, В. К. Малиновский, А. А. Соколов

Институт автоматики и электрометрии, Новосибирск
PDF полного текста (575 kB)
Аннотация: Экспериментально исследована кинетика светорассеяния при экспонировании пле­нок $As_2S_3$ монохроматическим излучением и белым светом. Установлено, что наблюдаемое в эксперименте значительное возрастание светорассеяния обусловлено когерент­ностью света. Максимальное значение рассеяния зависит от начального уровня рассеяния и толщины пленки. Показано, что источником сильного начального рассеяния пле­нок толщиной более 7 мкм является поверхностный слой пленки.
Поступила в редакцию: 23.04.1979
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, Volume 10, Issue 1, Pages 100–101
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1980v010n01ABEH009865
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 339.213
PACS: 78.65.Jd
Образец цитирования: А. А. Аникин, В. К. Малиновский, А. А. Соколов, “Механизм усиления светорассеяния при оптической записи на пленках $As_2S_3$”, Квантовая электроника, 7:1 (1980), 179–181 [Sov J Quantum Electron, 10:1 (1980), 100–101]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AniMalSok80}
\by А.~А.~Аникин, В.~К.~Малиновский, А.~А.~Соколов
\paper Механизм усиления светорассеяния при оптической записи на пленках $As_2S_3$
\jour Квантовая электроника
\yr 1980
\vol 7
\issue 1
\pages 179--181
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe9865}
\transl
\jour Sov J Quantum Electron
\yr 1980
\vol 10
\issue 1
\pages 100--101
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE1980v010n01ABEH009865}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=A1980JE08000022}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe9865
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v7/i1/p179
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:137
    PDF полного текста:58
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024