Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 12, страницы 2499–2509 (Mi qe9835)  

Эта публикация цитируется в 66 научных статьях (всего в 66 статьях)

Взаимодействие лазерного излучения с веществом. Лазерная плазма

Формирование инверсии на переходах Ne-подобных ионов в стационарной и нестационарной плазме

Ю. В. Афанасьев, В. Н. Шляпцев

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: На примере многозарядных Ne-подобных ионов с использованием подробной радиационно-столкновительной модели рассмотрены три приближения для определения населенностей уровней и коэффициентов усиления G в коротковолновой области ДУФ диапазона. Показано, что при быстром нагреве плазмы, соответствующем нестационарному приближению, возможно достижение G ~ 102 см – 1. Инверсия при этом возникает не за счет интенсивного радиационного обеднения нижнего уровня лазера, а вследствие переходных радиационно-столкновительных процессов. В результате отпадает необходимость в ограничении поперечных размеров плазмы для создания условий оптической прозрачности и появляется ряд других практически важных особенностей.
Поступила в редакцию: 02.10.1987
Исправленный вариант: 05.08.1988
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, Volume 19, Issue 12, Pages 1606–1612
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1989v019n12ABEH009835
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826:533.9
PACS: 52.38.-r, 52.50.Jm, 52.20.-j, 52.25.Jm


Образец цитирования: Ю. В. Афанасьев, В. Н. Шляпцев, “Формирование инверсии на переходах Ne-подобных ионов в стационарной и нестационарной плазме”, Квантовая электроника, 16:12 (1989), 2499–2509 [Sov J Quantum Electron, 19:12 (1989), 1606–1612]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe9835
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v16/i12/p2499
  • Эта публикация цитируется в следующих 66 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024