|
Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 12, страницы 2426–2432
(Mi qe9821)
|
|
|
|
Активные среды
Автоволны концентрации носителей в инжекционных лазерах на основе PbS$_{1-x}$Se$_x$
М. С. Мурашов, А. П. Шотов Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
В результате изучения временных изменений спектрально-пространственного распределения
излучения импульсных инжекционных гомолазеров с широким контактом на основе PbS$_{1-x}$Se$_x$ установлено, что в этих структурах возбуждаются автоволны концентрации свободных носителей заряда с двумя близкими частотами ($\lesssim$10$^7$ Гц). Наличие автоволн приводит к возникновению каналов генерации лазерного излучения двух типов, связанных с модуляцией показателя преломления и коэффициента оптического усиления. Ширина каналов при этом задается толщиной пластины, из которой изготовлен лазерный диод, и не зависит от ширины резонатора. Установлено, что поперечное (вдоль плоскости $p$-$n$-перехода)
межмодовое расстояние определяется амплитудой автоволн и их пространственным периодом
(шириной каналов). Исследовано влияние условий эксплуатации лазерных диодов на параметры автоволн. Сильный разброс пороговой плотности тока в серии из 30 инжекционных лазеров с неизменной длиной резонатора, свежеизготовленных четырехсторонним скалыванием из одной пластины, объясняется изменением бокового оптического ограничения при изменении ширины резонатора вследствие интерференции автоволн в резонаторе, образованном боковыми гранями кристалла.
Поступила в редакцию: 11.04.1988 Исправленный вариант: 15.06.1989
Образец цитирования:
М. С. Мурашов, А. П. Шотов, “Автоволны концентрации носителей в инжекционных лазерах на основе PbS$_{1-x}$Se$_x$”, Квантовая электроника, 16:12 (1989), 2426–2432 [Sov J Quantum Electron, 19:12 (1989), 1559–1563]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe9821 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v16/i12/p2426
|
|