Рекомбинационные газоразрядные лазеры на переходах многозарядных ионов O III и Xe lV

Проанализированы условия, необходимые для реализации интенсивной рекомбинационной накачки уровней многозарядных ионов в продольном импульсном газовом разряде. Показано, что упругие соударения с атомами и ионами легкого буферного газа вместе с процессом амбиполярной диффузии обеспечивают достаточно быстрое (за 0,1–1,0 мкс) охлаждение электронов в послесвечении разряда при малых (до 1 мм рт. ст.) давлениях буферного газа и небольших (~0,3 см) диаметрах трубки. Впервые получена генерация в рекомбинационном режиме на переходах O III с λ = 375,5; 376,0; 559,2 нм и Xe lV с λ = 335,0; 430,6; 495,4; 500,8; 515,9; 526,0; 535,3; 539,5; 595,6 нм. Генерация осуществлялась в смеси ~ 10 ^– 2 мм рт. ст. O₂ или Хе с Не, H₂ или Ne (0,1 – 0,3 мм рт. ст.) в трубке ∅3 мм и длиной 50 см.