| Квантовая электроника |
|
|
|
|
|
Нелинейно-оптические явления и устройства Влияние нелинейного поглощения на нелинейный набег фазы излучения в InSb и InAs на 10,6 мкм В. И. Ковалев Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1987, Volume 17, Issue 9, Pages DOI: https://doi.org/10.1070/QE1987v017n09ABEH009795 
Реферативные базы данных:
 Образец цитирования: В. И. Ковалев, “Влияние нелинейного поглощения на нелинейный набег фазы излучения в InSb и InAs на 10,6 мкм”, Квантовая электроника, 14:9 (1987), |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Обратная связь: |
Пользовательское соглашение
|
Регистрация посетителей портала |
Логотипы |
|