Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1987, том 14, номер 9, страницы 1851–1853 (Mi qe9795)  
Нелинейно-оптические явления и устройства

Влияние нелинейного поглощения на нелинейный набег фазы излучения в InSb и InAs на 10,6 мкм

В. И. Ковалев

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
PDF полного текста (394 kB)
Аннотация: В лучевом приближении рассмотрена задача о нелинейном набеге фазы излучения, распространяющегося в среде с сильным нелинейным поглощением. Для InSb и InAs рассчитаны зависимости нелинейного набеги фазы от интенсивности падающего излучения.
Поступила в редакцию: 13.01.1987
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1987, Volume 17, Issue 9, Pages 1180–1181
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1987v017n09ABEH009795
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826
PACS: 42.65.-k, 42.70.Nq


Образец цитирования: В. И. Ковалев, “Влияние нелинейного поглощения на нелинейный набег фазы излучения в InSb и InAs на 10,6 мкм”, Квантовая электроника, 14:9 (1987), 1851–1853 [Sov J Quantum Electron, 17:9 (1987), 1180–1181]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe9795
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v14/i9/p1851
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024