Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 11, страницы 2481–2483 (Mi qe9775)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Краткие сообщения

Эффект обращения волнового фронта на основе антистоксова ВКР

И. М. Бельдюгин, Е. М. Земсков, В. Н. Клушин, В. Н. Семиногов
Аннотация: Показана возможность обращения волнового фронта со смещением частоты при осевом антистоксовом ВКР. Обсуждается сходство и различие этой схемы с предложенными ранее схемами фазового сопряжения. Указано на расширение класса процессов, при которых может проявляться эффект обращения волнового фронта.
Поступила в редакцию: 01.06.1979
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, Volume 9, Issue 11, Pages 1469–1470
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1979v009n11ABEH009775
Тип публикации: Статья
УДК: 535.375
PACS: 42.30.Va, 42.65.Cq


Образец цитирования: И. М. Бельдюгин, Е. М. Земсков, В. Н. Клушин, В. Н. Семиногов, “Эффект обращения волнового фронта на основе антистоксова ВКР”, Квантовая электроника, 6:11 (1979), 2481–2483 [Sov J Quantum Electron, 9:11 (1979), 1469–1470]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe9775
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v6/i11/p2481
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024