Высокоэффективная пикосекундная параметрическая суперлюминесценция в кристалле ZnGeP2 в диапазоне 5–6,3 мкм

Получена высокоэффективная (квантовая эффективность 17 %) параметрическая суперлюминесценция (ПСЛ) в нелинейном монокристалле ZnGeP₂ длиной 4,2 см при накачке его одиночными (с энергией ~1 мДж) УКИ (τ = 150 пс) эрбиевого лазера (λ = 2,79 мкм). Получено мощное (~1 МВт) непрерывно перестраиваемое ИК излучение в области длин волн 5–5,3 и 5,9–6,3 мкм. Измерены энергетические и угловые перестроечные характеристики ПСЛ, ширина линии, расходимость, коэффициент усиления ПСЛ. Определен нелинейный коэффициент d₃₆ для ZnGeP₂. Показано, что истощение лазерной накачки надо учитывать уже при КПД ПСЛ всего 0,1%.