|
Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 11, страницы 2436–2439
(Mi qe9742)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Исследование гетеролазеров и светодиодов на основе InP/lnGaPAs, излучающих в диапазоне 1,0–1,2 мкм
Р. Алтынбаев, И. Исмаилов, Г. Ли, И. М. Цидулко, Н. Шохуджаев Физико-технический институт им. С. У. Умарова АН Тадж. ССР, Душанбе
Аннотация:
В работе приводятся сравнительные характеристики гетеролазеров и светодиодов, выращенных на подложках n- и p-типов в системе четырехкомпонентного твердого раствора IпGаРAs. Изучены спектральные, временные, мощностные и излучательные характеристики полученных образцов. Температурная зависимость порогового тока гетеролазера (1,07 мкм, 300 K) сравнивается с аналогичной зависимостью в гомолазере на основе InР. В системе lпP/lпGaPAs получена генерация излучения на длине волны 1,19 мкм при комнатной температуре.
Поступила в редакцию: 18.03.1979
Образец цитирования:
Р. Алтынбаев, И. Исмаилов, Г. Ли, И. М. Цидулко, Н. Шохуджаев, “Исследование гетеролазеров и светодиодов на основе InP/lnGaPAs, излучающих в диапазоне 1,0–1,2 мкм”, Квантовая электроника, 6:11 (1979), 2436–2439 [Sov J Quantum Electron, 9:11 (1979), 1435–1437]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe9742 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v6/i11/p2436
|
|