Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1987, том 14, номер 9, страницы 1754–1771 (Mi qe9711)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Лазеры

Обменные химические лазеры видимого и ближнего ИК диапазонов на электронных переходах галогенов и интергалогенов

Н. Г. Басов, В. Ф. Гавриков, В. А. Щеглов

Физический институт им. П. H. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: Проанализированы основные термодинамические, спектроскопические, кинетические и радиационные характеристики молекул галогенов и интергалогенов как рабочих молекул в химических лазерах, а также соответствующих им квазирезонансных донорных партнеров – метacтабильных радикалов. Приведены химические процессы, в которых образуются электронно-возбужденные донорные частицы, включая новый класс реакций с участием атомов щелочных металлов. Указаны конкретные наиболее перспективные пары «донор – акцептор». Оцениваются пороговые плотности инверсной населенности для получения генерации. Систематизированы процессы образования электронно-возбужденных атомов йода I(2P1/2) и молекул кислорода O2(a1Δ), представляющих интерес в качестве вспомогательных доноров. Обсуждается несколько кинетических схем инициирования импульсных NF–IF-лазеров. Предложена конкретная схема создания химического NF–I2-лазера видимого диапазона.
Поступила в редакцию: 30.10.1986
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1987, Volume 17, Issue 9, Pages 1118–1129
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1987v017n09ABEH009711
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.823
PACS: 42.55.Ks, 42.60.Jf


Образец цитирования: Н. Г. Басов, В. Ф. Гавриков, В. А. Щеглов, “Обменные химические лазеры видимого и ближнего ИК диапазонов на электронных переходах галогенов и интергалогенов”, Квантовая электроника, 14:9 (1987), 1754–1771 [Sov J Quantum Electron, 17:9 (1987), 1118–1129]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe9711
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v14/i9/p1754
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:246
    PDF полного текста:86
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024