Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 11, страницы 2271–2278 (Mi qe9585)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Взаимодействие излучения с веществом. Лазерная плазма

Особенности распределения электромагнитного излучения в приповерхностном слое сульфида кадмия при комбинированном электронно-световом отжиге

В. В. Капаев

Московский институт электронной техники
Аннотация: Исследуется распространение электромагнитного излучения в слоисто-периодической структуре, образующейся в приповерхностной нарушенной области сульфида кадмия при электронно-световом отжиге. Появление этой структуры с периодом d0 = λ / 2n1 обусловлено отжигом во время действия первого импульса нарушенного материала в участках максимумов интенсивности интерференционной картины и различием коэффициентов преломления разупорядоченной фазы n1 и совершенного материала n0. Показано, что максимумы интенсивности в слоисто-периодической структуре расположены вне областей, отожженных во время действия первого импульса. Это приведет к росту объема отожженных участков от импульса к импульсу. Для отжига всего нарушенного слоя достаточно смещения фронта рекристаллизации на величину ~ d0, так как смещение будет происходить в каждом из периодов. Период структуры d0 близок к периоду, при котором наблюдается эффект непропускания. Следствием этого являются аномалии распределения интенсивности I (x) в структуре. Наблюдается квазипериодичность в I (x), причем величина квазипериода значительно превышает d0, а интенсивность в максимуме может существенно превышать интенсивность падающей волны, что увеличивает эффективность отжига внутренних областей.
Поступила в редакцию: 03.08.1988
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, Volume 19, Issue 11, Pages 1460–1465
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1989v019n11ABEH009585
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826
PACS: 61.80.Fe, 61.80.Ba, 78.68.+m, 61.82.Fk, 81.40.Ef, 61.72.Cc


Образец цитирования: В. В. Капаев, “Особенности распределения электромагнитного излучения в приповерхностном слое сульфида кадмия при комбинированном электронно-световом отжиге”, Квантовая электроника, 16:11 (1989), 2271–2278 [Sov J Quantum Electron, 19:11 (1989), 1460–1465]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe9585
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v16/i11/p2271
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024