Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 10, страницы 2109–2116 (Mi qe9507)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Исследование структуры материала заготовок и волоконных световодов на основе кварцевого стекла, легированного германием и бором

А. Н. Гурьяновab, Е. М. Диановab, С. В. Лаврищевab, В. М. Машинскийab, В. Б. Неуструевab, А. В. Николайчикab, А. С. Юшинab

a Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
b Институт химии АН СССР, Горький
Аннотация: Исследовано распределение легирующих добавок, примеси ОН и показателя преломления (n) в заготовках и стеклянных волоконных световодах (СВС), изготовленных по методу химического осаждения из газовой фазы. Показано, что в процессе вытяжки происходит диффузионное перераспределение легирующих добавок Ge и В, проявляющееся в выравнивании концентрации и размытии границ световодной структуры на эффективной длине ~0.08α (α – радиус сердцевины). Этот эффект необходимо учитывать при разработке СВС для широкополосных ВОЛС. Для исследования радиального распределения концентрации GeO2 в заготовках наряду с методом рентгеновского микроанализа был впервые применен абсорбционный метод, с помощью которого измерялось распределение GeO2 в бинарной системе xGeO2+(1–x)SiO2 на длине волны 0,269 мкм (коэффициент экстинкции (1,02 ± 0,05)см–1/мол. %). При соответствующем выборе пространственного разрешения этот метод можно использовать для моделирования диффузионного перераспределения легирующей добавки в СВС. При использовании метода рефракции исследована дисперсия n в заготовке со ступенчатым профилем n. Обнаружена значительная неоднородность n2 в кварцевой оболочке (~5·10–4) и уменьшение Δn = n1n2 на ~1·10–4 (мол. % GeO2)–1 по сравнению с Δn однородных материалов такого же состава. Указанные величины превышают расчетные значения, обусловленные механическими напряжениями.
Поступила в редакцию: 08.02.1979
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, Volume 9, Issue 10, Pages 1238–1242
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1979v009n10ABEH009507
Тип публикации: Статья
УДК: 621.391.029.7
PACS: 42.80.Mv


Образец цитирования: А. Н. Гурьянов, Е. М. Дианов, С. В. Лаврищев, В. М. Машинский, В. Б. Неуструев, А. В. Николайчик, А. С. Юшин, “Исследование структуры материала заготовок и волоконных световодов на основе кварцевого стекла, легированного германием и бором”, Квантовая электроника, 6:10 (1979), 2109–2116 [Sov J Quantum Electron, 9:10 (1979), 1238–1242]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe9507
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v6/i10/p2109
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:268
    PDF полного текста:113
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024