Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 8, страницы 1819–1821 (Mi qe9427)  

Краткие сообщения

Некогерентные четырехфотонные параметрические процессы

Ю. Е. Дьяков, Л. И. Павлов, И. В. Томов

Софийский университет, БНР
Аннотация: Рассмотрена задача о возбуждении четырехфотонного параметрического процесса полем некогерентной гауссовой (шумовой) накачки с учетом дисперсионных и диссипативных свойств нелинейной среды. Показано, что этот процесс может иметь достаточно большую эффективность в парах атомов металлов Cd, Hg, Zn при использовании в качестве накачки излучения эксимерных лазеров на фторидах благородных газов.
Поступила в редакцию: 18.01.1979
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, Volume 9, Issue 8, Pages 1076–1078
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1979v009n08ABEH009427
Тип публикации: Статья
УДК: 535.331
PACS: 42.65.Cq


Образец цитирования: Ю. Е. Дьяков, Л. И. Павлов, И. В. Томов, “Некогерентные четырехфотонные параметрические процессы”, Квантовая электроника, 6:8 (1979), 1819–1821 [Sov J Quantum Electron, 9:8 (1979), 1076–1078]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe9427
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v6/i8/p1819
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024