Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 8, страницы 1816–1818 (Mi qe9425)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Краткие сообщения

Об эффективности селективного СО-лазера

А. А. Ликальтер

Институт высоких температур АН СССР, Москва
PDF полного текста (439 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Для СО-лазера с селективным резонатором найдены КПД генерирующего перехода и закон насыщения коэффициента усиления. КПД селективной генерации ограничивается передачей молекулами квантов в верхнюю часть колебательного спектра минуя генерирующий переход.
Поступила в редакцию: 17.01.1979
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, Volume 9, Issue 8, Pages 1074–1076
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1979v009n08ABEH009425
Тип публикации: Статья
УДК: 621.375.826+539.196.5
PACS: 42.55.H


Образец цитирования: А. А. Ликальтер, “Об эффективности селективного СО-лазера”, Квантовая электроника, 6:8 (1979), 1816–1818 [Sov J Quantum Electron, 9:8 (1979), 1074–1076]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe9425
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v6/i8/p1816
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:123
    PDF полного текста:66
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024