Пространственная модуляция света в фоточувствительной структуре жидкий кристалл – изолированный кристалл арсенида галлия

Изложены результаты экспериментального исследования фоточувствительных структур МДП в контакте с нематическим жидким кристаллом. При использовании арсенида галлия в качестве полупроводника и ориентационного электрооптического эффекта в жидком кристалле достигнута высокая энергетическая чувствительность структуры. Необходимый для модуляции фазы света на π или достижения наибольшего оптического контраста (порядка 100:1), минимальный уровень интенсивности возбуждающего излучения гелий-неонового лазера (λ = 633 нм) составил 5·10^–7 Вт/см² при энергии переключения 10^–8–10^–9Дж/см². Пространственное разрешение было не хуже 10–12 лин./мм. Структура может быть использована для ввода и преобразования оптической информации, в том числе для визуализации ИК излучения.