Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 8, страницы 1718–1729 (Mi qe9399)  

Исследование высокочастотных свойств сверхпроводящих точечных контактов в дальней ИК области спектра

Н. Г. Басов, Э. М. Беленов, С. И. Веденеев, М. А. Губин, Г. П. Мотулевич, В. В. Никитин, В. А. Степанов, А. В. Усков

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: Теоретически и экспериментально исследованы высокочастотные свойства сверхпроводящих точечных контактов (СТК) Nb–Nb, работающих в неравновесном режиме с большим критическим током Ic и малым сопротивлением нормального состояния RN, для изучения возможности применения их в задачах метрологии в ближней ИК области спектра. Показано, что при облучении таких СТК внешним излучением на их вольт-амперных характеристиках легко наблюдаются ступеньки тока, соответствующие гармоникам частоты внешнего излучения, при напряжениях, превышающих предельное для ниобиевых СТК. В этом случае появляется емкостное ограничение частоты. На мостиках, размер которых не превышает 50 нм, наблюдалось умножение частоты вплоть до 8·1012 Гц (~38 мкм). Изучены зависимости ступенчатой структуры вольт-амперных характеристик СТК от мощности и частоты внешнего излучения, а также зависимости амплитуды и ширины линии сигнала промежуточной частоты от напряжения смещения и мощности внешних сигналов при облучении СТК излучениями двух источников. Теоретический анализ показал, что при умножении и смешении частот СТК, работающими в неравновесном режиме, необходимо учитывать воздействие на СТК как собственного излучения, так и его гармоник.
Поступила в редакцию: 01.12.1978
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, Volume 9, Issue 8, Pages 1012–1018
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1979v009n08ABEH009399
Тип публикации: Статья
УДК: 537.312.62
PACS: 74.50.+r, 06.30.Ft, 85.20.Sn, 85.25.+k


Образец цитирования: Н. Г. Басов, Э. М. Беленов, С. И. Веденеев, М. А. Губин, Г. П. Мотулевич, В. В. Никитин, В. А. Степанов, А. В. Усков, “Исследование высокочастотных свойств сверхпроводящих точечных контактов в дальней ИК области спектра”, Квантовая электроника, 6:8 (1979), 1718–1729 [Sov J Quantum Electron, 9:8 (1979), 1012–1018]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe9399
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v6/i8/p1718
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024