Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 8, страницы 1712–1717 (Mi qe9398)  

О влиянии ядерной релаксации на генерацию света сложными органическими соединениями

Ю. Т. Мазуренко
Аннотация: Рассмотрена динамика электронных спектров сложных молекул, связанная с ядерным движением, и ее проявление при воздействии на молекулу мощных световых излучений. Предложена модель динамики неоднородного уширения, описывающая блуждание частоты спектра в виде гаусс-марковского случайного процесса и учитывающая релаксацию спектров, сопровождающую электронный переход. Получены простые, легко интерпретируемые соотношения, описывающие влияние ядерных релаксаций на частоту генерации.
Поступила в редакцию: 27.12.1978
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, Volume 9, Issue 8, Pages 1008–1001
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1979v009n08ABEH009398
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.824
PACS: 42.55.Bi, 33.25.Bn


Образец цитирования: Ю. Т. Мазуренко, “О влиянии ядерной релаксации на генерацию света сложными органическими соединениями”, Квантовая электроника, 6:8 (1979), 1712–1717 [Sov J Quantum Electron, 9:8 (1979), 1008–1001]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe9398
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v6/i8/p1712
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024