Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 7, страницы 1586–1588 (Mi qe9379)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Краткие сообщения

Исследование генерационных характеристик активных элементов из Li–Nd–La-фосфатного стекла

А. Г. Аванесов, И. В. Васильев, Ю. К. Воронько, Б. И. Денкер, С. В. Зиновьев, А. С. Кузнецов, В. В. Осико, П. П. Пашинин, A. М. Прохоров, А. А. Семенов
Аннотация: Исследуются и сравниваются генерационные характеристики активных элементов размером 5×50 мм из Li–Nd–La-фосфатного стекла с концентрацией ионов Nd3+ 8·1020 см–3 и из Y3Al5O12–Nd3+ с концентрацией ионов Nd3+ 1,3·1020 см–3. Для активных элементов из Li–Nd–La-фосфатного стекла пороговая энергия накачки составляла 1 Дж, а динамический КПД в 1,5 раза выше, чем максимальный для Y3Al5O12–Nd3+. Это позволяет получить полный КПД лазера ~0,5% при накачке 2 Дж и более 1% при накачке 4 Дж. Исследование зависимости выходной энергии в импульсе от средней мощности накачки для активного элемента из Li–Nd–La-фосфатного стекла показало, что вплоть до мощностей накачки ~250 Вт изменение выходной энергии не превышает 10%.
Поступила в редакцию: 31.01.1979
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, Volume 9, Issue 7, Pages 937–938
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1979v009n07ABEH009379
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.825.3
PACS: 42.55.Rz


Образец цитирования: А. Г. Аванесов, И. В. Васильев, Ю. К. Воронько, Б. И. Денкер, С. В. Зиновьев, А. С. Кузнецов, В. В. Осико, П. П. Пашинин, A. М. Прохоров, А. А. Семенов, “Исследование генерационных характеристик активных элементов из Li–Nd–La-фосфатного стекла”, Квантовая электроника, 6:7 (1979), 1586–1588 [Sov J Quantum Electron, 9:7 (1979), 937–938]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe9379
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v6/i7/p1586
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:209
    PDF полного текста:76
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024