|
Квантовая электроника, 1987, том 14, номер 6, страницы 1274–1278
(Mi qe9366)
|
|
|
|
Применение лазеров и другие вопросы
Фотодефлекционная спектроскопия ионно-имплантированного кремния
А. В. Зенкевич, В. Н. Неволин, А. Н. Петровский, А. О. Сальник Московский инженерно-физический институт
Аннотация:
Методом фотодефлекционной спектроскопии (ФДС) изучены образцы монокристаллического кремния, имплантированные ионами висмута, железа и индия с энергией 25 кэВ. Показана возможность использования метода ФДС для контроля восстановления кристаллической структуры образцов при электронном отжиге. Изучена зависимость амплитуды ФДС-сигнала от дозы имплантированных ионов индия в диапазоне 5·1011–5·1015 см–2. Определен предел чувствительности метода по минимально детектируемой дозе имплантации – 2·1012 см–2. Сравниваются результаты исследований образцов методами ФДС и резерфордовского обратного рассеяния легких ионов.
Поступила в редакцию: 25.09.1986
Образец цитирования:
А. В. Зенкевич, В. Н. Неволин, А. Н. Петровский, А. О. Сальник, “Фотодефлекционная спектроскопия ионно-имплантированного кремния”, Квантовая электроника, 14:6 (1987), 1274–1278 [Sov J Quantum Electron, 17:6 (1987), 811–814]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe9366 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v14/i6/p1274
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 144 | PDF полного текста: | 71 | Первая страница: | 1 |
|