Усиление света в полупроводниках при рекомбинации экситонов высокой концентрации

Рассчитана форма кривой усиления для полосы излучения, связанной с процессом неупругого столкновения двух экситонов, при котором один из экситонов переходит в высшее возбужденное состояние, а второй высвечивается в виде кванта света. Показано, что для полупроводниковых соединений типа А^II В^VI эта полоса заметно отличается по ширине и местоположению от обычно наблюдаемых полос P или M, связанных с ионизирующими столкновениями двух экситонов.