О влиянии пространственно-неоднородного насыщения усиления, вызванного стоячей волной, на амплитудно-частотную характеристику модуляции излучения полупроводникового лазера

В рамках линеаризованных лазерных уравнений для поля и носителей получено аналитическое выражение для модуляционной функции отклика полупроводникового лазера с учетом пространственно-неоднородного насыщения усиления из-за стоячей волны. Учтено, что пространственные вариации носителей вдоль оси резонатора возникают за счет как различной скорости стимулированной рекомбинации вблизи узлов и пучностей стоячей волны, так и «выталкивания» свободных носителей из пучностей волны силами электрострикции. Показано, что учет воздействия стоячей волны сводится, в основном, к изменению функции отклика вблизи резонансной частоты f₀ и слабо сказывается на значении этой функции для частот, превышающих f₀. Таким образом, данный эффект практически не влияет на максимальную частоту модуляции полупроводникового лазера f₀.