Планарные и полосковые оптические волноводы на основе эпитаксиальных слоев GaAs и твердых растворов GaAs1 – xPx

Представлены результаты разработки и исследования базовых многослойных эпитаксиальных волноводных структур (МЭВС) на основе GaAs и твердых растворов GaAs_1 – xP_x, пригодных для построения оптических интегральных схем на основе полосковых оптических волноводов (ОВ), и проведены исследование и оптимизация параметров полосковых ОВ на основе базовых МЭВС. Получены полосковые ОВ с практически однородным показателем преломления базового планарного ОВ и почти вертикальными боковыми стенками направляющей полоски, имеющие на длине волны 1,3 мкм потери менее 1 дБ/см. Получено аналитическое выражение для эффективного формата полоскового ОВ и изучено влияние параметров базового планарного и полоскового ОВ на его эффективный формат для основной моды.