Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 10, страницы 2083–2086 (Mi qe9243)  

Физические процессы в лазерах

Особенности дезактивации возбужденных состояний иона Cr3+- в кристаллах

А. Г. Аванесов, А. Б. Балашов, И. П. Жуйко, Б. В. Игнатьев, О. В. Кузьмин, В. Ф. Писаренко, Е. Н. Тумаев

Кубанский государственный университет, Краснодар
Аннотация: Исследовано влияние энергетических барьеров, определяющих скорости обмена между термически связанными уровнями, на закономерности дезактивации возбужденных примесных центров в кристаллах. Показано, что учет барьеров, определяющих скорости термического обмена между уровнями 2E и 4T2, позволяет объяснить температурные зависимости формы спектра люминесценции и кинетики затухания возбужденных состояний иона Cr3+. Для кристалла ИСАГ: Cr3+ определены вероятности излучательных переходов с уровней 2E и 4T2 и энергетический зазор между низшими колебательными состояниями этих уровней. Теоретически предсказано и экспериментально установлено существование температурных областей с экспоненциальными и неэкспоненциальными законами затухания люминесценции иона Cr3+.
Поступила в редакцию: 28.04.1989
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, Volume 19, Issue 10, Pages 1340–1342
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1989v019n10ABEH009243
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.825.2
PACS: 42.55.Rz, 78.55.Hx


Образец цитирования: А. Г. Аванесов, А. Б. Балашов, И. П. Жуйко, Б. В. Игнатьев, О. В. Кузьмин, В. Ф. Писаренко, Е. Н. Тумаев, “Особенности дезактивации возбужденных состояний иона Cr3+- в кристаллах”, Квантовая электроника, 16:10 (1989), 2083–2086 [Sov J Quantum Electron, 19:10 (1989), 1340–1342]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe9243
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v16/i10/p2083
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024