|
Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 10, страницы 2074–2077
(Mi qe9240)
|
|
|
|
Физические процессы в лазерах
Безызлучательные потери в гетероструктурах InGaAsP/InP
П. Г. Елисеев, И. С. Цимберова Физический институт им. П. Н. Лебедева
АН СССР, Москва
Аннотация:
Изучена зависимость интенсивности люминесценции и времени жизни избыточных носителей от тока накачки в светодиодных гетероструктурах, излучающих на длинах волн 1,06, 1,27 и 1,55 мкм. Оценен коэффициент оже-рекомбинации, составивший соответственно 0,9 · 10 – 29, 3,1 · 10 – 29, 1,1 · 10 – 28 см6/с на указанных длинах волн.
Поступила в редакцию: 06.12.1988
Образец цитирования:
П. Г. Елисеев, И. С. Цимберова, “Безызлучательные потери в гетероструктурах InGaAsP/InP”, Квантовая электроника, 16:10 (1989), 2074–2077 [Sov J Quantum Electron, 19:10 (1989), 1334–1336]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe9240 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v16/i10/p2074
|
|