Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 10, страницы 2074–2077 (Mi qe9240)  

Физические процессы в лазерах

Безызлучательные потери в гетероструктурах InGaAsP/InP

П. Г. Елисеев, И. С. Цимберова

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: Изучена зависимость интенсивности люминесценции и времени жизни избыточных носителей от тока накачки в светодиодных гетероструктурах, излучающих на длинах волн 1,06, 1,27 и 1,55 мкм. Оценен коэффициент оже-рекомбинации, составивший соответственно 0,9 · 10 – 29, 3,1 · 10 – 29, 1,1 · 10 – 28 см6/с на указанных длинах волн.
Поступила в редакцию: 06.12.1988
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, Volume 19, Issue 10, Pages 1334–1336
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1989v019n10ABEH009240
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.825.4
PACS: 72.20.Jv, 79.20.-m


Образец цитирования: П. Г. Елисеев, И. С. Цимберова, “Безызлучательные потери в гетероструктурах InGaAsP/InP”, Квантовая электроника, 16:10 (1989), 2074–2077 [Sov J Quantum Electron, 19:10 (1989), 1334–1336]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe9240
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v16/i10/p2074
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024