|
Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 10, страницы 2034–2036
(Mi qe9229)
|
|
|
|
Твердотельные и полупроводниковые лазеры
Лазер с продольной накачкой CdHgTe электронным пучком
Б. Г. Борисов, Б. М. Лаврушин, А. С. Насибов, М. Н. Сыпченко, Б. Л. Шерман Физический институт им. П. Н. Лебедева
АН СССР, Москва
Аннотация:
Для создания лазера использовались гетероструктуры CdHgTe/CdTe, выращенные методом жидкофазной эпитаксии. Эпитаксиальный слой CdHgTe являлся активной, а подложка CdTe – пассивной частями резонатора. При энергии электронов 50 кэВ и температуре 77 K получена генерация в Cd0.65Hg0.35Te на длине волны 1,48 мкм. Максимальная внешняя дифференциальная эффективность достигала 3,4%.
Поступила в редакцию: 17.04.1989
Образец цитирования:
Б. Г. Борисов, Б. М. Лаврушин, А. С. Насибов, М. Н. Сыпченко, Б. Л. Шерман, “Лазер с продольной накачкой CdHgTe электронным пучком”, Квантовая электроника, 16:10 (1989), 2034–2036 [Sov J Quantum Electron, 19:10 (1989), 1309–1310]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe9229 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v16/i10/p2034
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 147 | PDF полного текста: | 75 | Первая страница: | 1 |
|