Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 7, страницы 1559–1561 (Mi qe9221)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Краткие сообщения

Оптимальные условия СВЧ накачки гелий-неонового лазера

В. И. Юдин

Воронежский политехнический институт
PDF полного текста (569 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Рассмотрен эффект автофазировки электронов плазмы активной среды Не–Ne-лазера, разогреваемой СВЧ полем накачки. Получены простые соотношения для расчета оптимальных параметров поля возбуждения и давления активной среды лазера. Удельная мощность накачки оптимизированного Не–Ne-лазера составила ~0,2 Вт/см3.
Поступила в редакцию: 20.12.1978
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, Volume 9, Issue 7, Pages 917–918
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1979v009n07ABEH009221
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.33
PACS: 42.55.Fn


Образец цитирования: В. И. Юдин, “Оптимальные условия СВЧ накачки гелий-неонового лазера”, Квантовая электроника, 6:7 (1979), 1559–1561 [Sov J Quantum Electron, 9:7 (1979), 917–918]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe9221
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v6/i7/p1559
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024