О механизмах генерации лазерного излучения в эпитаксиальном InAs при электронном возбуждении

Исследованы спектральные и мощностные характеристики лазеров с электронным возбуждением на эпитаксиальном InAs в зависимости от концентрации носителей, уровня возбуждения и температуры (80–220 K). Основными каналами генерации являются межзонные переходы и переходы зона проводимости – мелкие акцепторные уровни, причем переходы на примесные состояния обеспечивают максимальную эффективность (до 2%). Показано, что основным механизмом, снижающим КПД этих лазеров, является безызлучательная межзонная и примесная Оже-рекомбинация неравновесных носителей, вероятность которой в данном соединении увеличивается вследствие участия в Оже-процессах отщепленной из-за спин-орбитального взаимодействия валентной подзоны.