Влияние условий отражения на оптоэлектронный сигнал в инжекционных лазерах на AlGaAs

Рассмотрено влияние условий отражения на оптоэлектронный сигнал инжекционных гетеролазеров различной структуры. Проанализирована зависимость оптоэлектронного сигнала от тока накачки и уровня спонтанного излучения. Показана возможность анализа качества поверхности по уровню оптоэлектронного сигнала. Обнаружено, что наибольшая величина оптоэлектронного сигнала наблюдается у лазеров с боковым оптическим ограничением и с просветленной гранью, обращенной к отражателю.