О неоднородном уширении линии излучения в полупроводниковых лазерах

Предлагается феноменологическая модель рекомбинационного процесса в полупроводниковых лазерах, работающих на переходе электрона из зоны проводимости на мелкий примесный уровень вблизи валентной зоны. Показано, что функция распределения электронов на этом уровне в ряде случаев может быть неквазиравновесной, а линия излучения в связи с этим неоднородно уширенной.