Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 5, страницы 1109–1111 (Mi qe9088)  
Краткие сообщения

О деградации неохлаждаемых лазеров на арсениде галлия с электронной накачкой

Е. М. Красавина, И. В. Крюкова

Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений, Москва
PDF полного текста (750 kB)
Аннотация: Исследовались процессы деградации лазеров на арсениде галлия с электронной накачкой, работающих при комнатной температуре. Показано, что одной из причин деградации неохлаждаемых лезеров в отличие от охлаждаемых является возрастание плотности дислокаций в активной области кристалла вследствие увеличения пластичности материала с ростом температуры.
Поступила в редакцию: 01.08.1978
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, Volume 9, Issue 5, Pages 656–657
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1979v009n05ABEH009088
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.325
PACS: 42.55.Px, 61.70.Jc


Образец цитирования: Е. М. Красавина, И. В. Крюкова, “О деградации неохлаждаемых лазеров на арсениде галлия с электронной накачкой”, Квантовая электроника, 6:5 (1979), 1109–1111 [Sov J Quantum Electron, 9:5 (1979), 656–657]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe9088
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v6/i5/p1109
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024