|
Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 5, страницы 1109–1111
(Mi qe9088)
|
|
|
|
Краткие сообщения
О деградации неохлаждаемых лазеров на арсениде галлия с электронной накачкой
Е. М. Красавина, И. В. Крюкова Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений, Москва
Аннотация:
Исследовались процессы деградации лазеров на арсениде галлия с электронной накачкой, работающих при комнатной температуре. Показано, что одной из причин деградации неохлаждаемых лезеров в отличие от охлаждаемых является возрастание плотности дислокаций в активной области кристалла вследствие увеличения пластичности материала с ростом температуры.
Поступила в редакцию: 01.08.1978
Образец цитирования:
Е. М. Красавина, И. В. Крюкова, “О деградации неохлаждаемых лазеров на арсениде галлия с электронной накачкой”, Квантовая электроника, 6:5 (1979), 1109–1111 [Sov J Quantum Electron, 9:5 (1979), 656–657]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe9088 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v6/i5/p1109
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 93 | PDF полного текста: | 74 |
|