О механизме объемных разрушений полупроводников типа CdS при лазерном возбуждении

Исследована фотопроводимость чистых кристаллов CdS в момент появления объемных разрушений, изучена динамика развития этих разрушений. Анализ экспериментальных данных, обнаруживший прямое размножение носителей при возникновении объемных разрушений, зависимость порога объемных разрушений от амплитуды поля световой волны, а также безынерционность развития самих разрушений, дает основание утверждать, что механизм электронной лавинной ионизации является доминирующим в развитии объемных разрушений чистых полупроводников типа CdS под действием наносекундных импульсов лазерного излучения.