|
Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 5, страницы 1105–1109
(Mi qe9085)
|
|
|
|
Краткие сообщения
О механизме объемных разрушений полупроводников типа CdS при лазерном возбуждении
А. А. Борщ, М. С. Бродин, Н. Н. Крупа, Л. В. Тараненко, В. В. Черный Институт физики АН УССР, Киев
Аннотация:
Исследована фотопроводимость чистых кристаллов CdS в момент появления объемных разрушений, изучена динамика развития этих разрушений. Анализ экспериментальных данных, обнаруживший прямое размножение носителей при возникновении объемных разрушений, зависимость порога объемных разрушений от амплитуды
поля световой волны, а также безынерционность развития самих разрушений, дает основание утверждать, что механизм электронной лавинной ионизации является доминирующим в развитии объемных разрушений чистых полупроводников типа CdS под действием наносекундных импульсов лазерного излучения.
Поступила в редакцию: 10.08.1978
Образец цитирования:
А. А. Борщ, М. С. Бродин, Н. Н. Крупа, Л. В. Тараненко, В. В. Черный, “О механизме объемных разрушений полупроводников типа CdS при лазерном возбуждении”, Квантовая электроника, 6:5 (1979), 1105–1109 [Sov J Quantum Electron, 9:5 (1979), 653–655]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe9085 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v6/i5/p1105
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 103 | PDF полного текста: | 63 |
|